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扬杰电子取得具有高续流能力的SIC MOSFET器件专利，大大提升了SiC MOSFET器件的续流能力:电子器件
国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“具有高续流能力的SICMOSFET器件”的专利，授权公告号CN223584622U，申请日期为2024年12月电子器件。专利摘要
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国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“具有高续流能力的SICMOSFET器件”的专利，授权公告号CN223584622U，申请日期为2024年12月电子器件。专利摘要