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  • 扬杰电子取得具有高续流能力的SIC MOSFET器件专利,大大提升了SiC MOSFET器件的续流能力:电子器件

    扬杰电子取得具有高续流能力的SIC MOSFET器件专利,大大提升了SiC MOSFET器件的续流能力:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“具有高续流能力的SICMOSFET器件”的专利,授权公告号CN223584622U,申请日期为2024年12月电子器件。专利摘要

    2025-11-28
1 共1页

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