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  • 中芯国际申请半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置专利,可极大程度避免金属污染:电子器件

    中芯国际申请半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置专利,可极大程度避免金属污染:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置”的专利,公开号CN121011563A,申请日期为2024年5月电子器件。专

    2025-11-28
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