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中芯国际申请半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置专利，可极大程度避免金属污染:电子器件
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置”的专利，公开号CN121011563A，申请日期为2024年5月电子器件。专
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中芯国际申请半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置专利，降低了功耗:电子器件
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置”的专利，公开号CN121013360A，申请日期为2024年5月电子器件。
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