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应用材料申请应变晶体管沟道电子元件制造方法专利,满足PMOS晶体管的压应力要求:电子元件
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国家知识产权局信息显示,应用材料公司申请一项名为“形成具有应变晶体管沟道的电子元件的方法”的专利,公开号CN121003036A,申请日期为2024年7月电子元件。专利摘要显示,本揭示案的实施例提供了
2025-11-28
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