-
智芯微电子申请LDMOSFET器件的制造方法及器件专利，简化制造工艺步骤:电子器件
国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件”的专利，公开号CN121001370A，申请日期为2025年7月电子器件。专
-
南亚科技申请包括散热结构的封装结构及其制备方法专利，散发电子元件产生的热量:电子元件
国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“包括散热结构的封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN121011578A，申请日期为2024年10月电子元件。专利摘要显示，本公开提供一
1
共1页