-
深达威科技取得基于TYPE-C接口的通信接口电路和电子测量仪器专利，提高烧录和调试效率:电子仪器
国家知识产权局信息显示，深达威科技（广东）股份有限公司取得一项名为“一种基于TYPE-C接口的通信接口电路和电子测量仪器”的专利，授权公告号CN223582481U，申请日期为2025年2月电子仪
-
成都网动光电子取得一种POB并行光模块的防断裂结构专利，避免连接线因弯曲断裂:电子连接线
国家知识产权局信息显示，成都网动光电子技术股份有限公司取得一项名为“一种POB并行光模块的防断裂结构”的专利，授权公告号CN223582198U，申请日期为2024年12月电子连接线。专利摘要显示
-
江苏晟棨电子取得一种抗干扰屏蔽型数据连接线专利，保障数据传输的准确性、稳定性:电子连接线
国家知识产权局信息显示，江苏晟棨电子有限公司取得一项名为“一种抗干扰屏蔽型数据连接线”的专利，授权公告号CN223582742U，申请日期为2024年12月电子连接线。专利摘要显示，本实用新型公
-
靖荣电子取得可改变插头角度的电子连接线专利，提高了连接线的通用性和便捷性:电子连接线
国家知识产权局信息显示，宿迁靖荣电子科技有限公司取得一项名为“一种可改变插头角度的电子连接线”的专利，授权公告号CN223583447U，申请日期为2024年12月电子连接线。专利摘要显示，本实
-
特诺奇电子取得一种喇叭连接线锁扣专利，提高锁扣和连接线的安装效率:电子连接线
国家知识产权局信息显示，浙江特诺奇电子有限公司取得一项名为“一种喇叭连接线锁扣”的专利，授权公告号CN223599065U，申请日期为2024年11月电子连接线。专利摘要显示，本实用新型属于插簧端
-
睿科微电子申请具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件专利，防止存储器件内形成空洞:电子器件
国家知识产权局信息显示，合肥睿科微电子有限公司申请一项名为“具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件”的专利，公开号CN121013351A，申请日期为2020年8月电子器件。
-
宁畅取得一种助拔器和电子设备专利，减少因误操作移出待插拔器件的情况:电子器件
国家知识产权局信息显示，宁畅信息技术（杭州）有限公司、宁畅信息产业（北京）有限公司取得一项名为“一种助拔器和电子设备”的专利，授权公告号CN223598194U，申请日期为2025年2月电子器件。
-
扬杰电子取得具有高续流能力的SIC MOSFET器件专利，大大提升了SiC MOSFET器件的续流能力:电子器件
国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“具有高续流能力的SICMOSFET器件”的专利，授权公告号CN223584622U，申请日期为2024年12月电子器件。专利摘要
-
晶扬电子申请一种单向超低压静电保护器件专利，能够降低静电保护器件的开启电压:电子器件
国家知识产权局信息显示，深圳市晶扬电子有限公司申请一项名为“一种单向超低压静电保护器件”的专利，公开号CN121013407A，申请日期为2025年6月电子器件。专利摘要显示，本发明提供了一种单
-
中芯国际申请半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置专利，可极大程度避免金属污染:电子器件
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置”的专利，公开号CN121011563A，申请日期为2024年5月电子器件。专
-
旭昇光电取得一种电子元器件生产用清灰装置专利，可对电子元器件进行高效高质量的清灰作业:电子器件
国家知识产权局信息显示，惠州旭昇光电科技有限公司取得一项名为“一种电子元器件生产用清灰装置”的专利，授权公告号CN223587819U，申请日期为2024年9月电子器件。专利摘要显示，本实用新型
-
思源清能取得用于电力电子器件触发电路的取能装置专利，提升了电力电子器件触发电路的供电可靠性:电子器件
国家知识产权局信息显示，思源清能电气电子有限公司取得一项名为“用于电力电子器件触发电路的取能装置”的专利，授权公告号CN223583890U，申请日期为2025年2月电子器件。专利摘要显示，本实
-
务实半导体申请电子器件和电路专利，可通过原子层沉积在衬底有限部分选择性沉积材料薄膜提供电子器件部件:电子器件
国家知识产权局信息显示，务实半导体有限公司申请一项名为“电子器件和电路”的专利，公开号CN121014283A，申请日期为2024年2月电子器件。专利摘要显示，本发明公开了一种制造至少第一电子器件(
-
智芯微电子申请LDMOSFET器件的制造方法及器件专利，简化制造工艺步骤:电子器件
国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件”的专利，公开号CN121001370A，申请日期为2025年7月电子器件。专
-
中芯国际申请半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置专利，降低了功耗:电子器件
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置”的专利，公开号CN121013360A，申请日期为2024年5月电子器件。