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晶合集成获得发明专利授权：“用于制作电子器件的方法及电子器件”:电子器件
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“用于制作电子器件的方法及电子器件”，专利申请号为CN202510674970.8，授权日为2025年8月
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商络电子：公司代理的产品品类中，相较去年底涨价幅度较为显著的主要为存储器件以及集成存储器件的模组器件:电子器件
每经AI快讯电子器件，有投资者在投资者互动平台提问：请问公司代理的产品中今年有哪些产品涨价，涨幅较大的产品有哪些，对公司业绩影响如何？商络电子（300975.SZ）11月27日在投资者互动平台表示，
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中芯国际申请半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置专利，降低了功耗:电子器件
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置”的专利，公开号CN121013360A，申请日期为2024年5月电子器件。
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智芯微电子申请LDMOSFET器件的制造方法及器件专利，简化制造工艺步骤:电子器件
国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件”的专利，公开号CN121001370A，申请日期为2025年7月电子器件。专
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中芯国际申请半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置专利，可极大程度避免金属污染:电子器件
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置”的专利，公开号CN121011563A，申请日期为2024年5月电子器件。专
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晶扬电子申请一种单向超低压静电保护器件专利，能够降低静电保护器件的开启电压:电子器件
国家知识产权局信息显示，深圳市晶扬电子有限公司申请一项名为“一种单向超低压静电保护器件”的专利，公开号CN121013407A，申请日期为2025年6月电子器件。专利摘要显示，本发明提供了一种单
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扬杰电子取得具有高续流能力的SIC MOSFET器件专利，大大提升了SiC MOSFET器件的续流能力:电子器件
国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“具有高续流能力的SICMOSFET器件”的专利，授权公告号CN223584622U，申请日期为2024年12月电子器件。专利摘要
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宁畅取得一种助拔器和电子设备专利，减少因误操作移出待插拔器件的情况:电子器件
国家知识产权局信息显示，宁畅信息技术（杭州）有限公司、宁畅信息产业（北京）有限公司取得一项名为“一种助拔器和电子设备”的专利，授权公告号CN223598194U，申请日期为2025年2月电子器件。
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艾迈斯-欧司朗申请发光材料及相关制造方法、用途和光电子器件专利，可应用于光电子器件:电子器件
国家知识产权局信息显示，艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请一项名为“发光材料、用于制造发光材料的方法、发光材料的用途和光电子器件”的专利，公开号CN121013898A，申请日期为2024年7月电子器
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思源清能取得用于电力电子器件触发电路的取能装置专利，提升了电力电子器件触发电路的供电可靠性:电子器件
国家知识产权局信息显示，思源清能电气电子有限公司取得一项名为“用于电力电子器件触发电路的取能装置”的专利，授权公告号CN223583890U，申请日期为2025年2月电子器件。专利摘要显示，本实