国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“形成具有应变晶体管沟道的电子元件的方法”的专利，公开号CN121003036A，申请日期为2024年7月电子元件。专利摘要显示，本揭示案的实施例提供了制造满足PMOS晶体管的压应力要求和NMOS晶体管的拉应力要求的电子元件的方法。每个P金属堆叠和P金属堆叠：在位于半导体基板上源极和漏极之间的沟道的顶表面上形成，以及包括纳米片沟道层和每个纳米片沟道层之间的沟槽，并且具有界定了栅极沟槽的至少一个侧面。一些实施例包括在沟道中形成功函数层，并在沟道中诱导功函数层应变。一些实施例包括在P金属堆叠和N金属堆叠中的每一个上形成栅极金属填充层，并在沟道中诱导栅极金属填充层应变。栅极金属填充层覆盖P金属堆叠和N金属堆叠中每一者的至少一个侧面，并填充栅极沟槽。
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来源：市场资讯